某元器件客戶，2017年成立于上海，作為一家碳化硅(SiC)功率半導體和芯片解決方案提供商，主要產(chǎn)品包含碳化硅功率器件、功率模塊、驅(qū)動和控制芯片。在我國的6英寸SiC MOSFET產(chǎn)品以及工藝平臺的技術方面較為領先。

最大可測試電阻為2*1019Ω，測試電壓可在0.1V～1000V內(nèi)進行設置（100V以內(nèi)最小設置單位為0.1V，100V以上最小設置單位為1V），最快6.4ms的高速測量。可測試參數(shù)包括電流（可作為皮安表使用）、電阻、表面電阻率、體積電阻率、液體電阻等等。

由于該芯片為車規(guī)級，需確保高溫下的工作及絕緣能力，因此需要的測試被該芯片在3種溫度環(huán)境下的性能，分別為室溫（約25℃）、125℃、150℃。根據(jù)客戶的要求，將芯片放置于專用工裝①上，實現(xiàn)兩側(cè)引腳分別短接的狀態(tài)后進行測試。

①客戶用于固定測試治具的電路板絕緣電阻大于被測物絕緣電阻，因此該測試工裝不會對測試結果產(chǎn)生影響。

室溫下的測試數(shù)據(jù)

高溫下的測試數(shù)據(jù)

*當實際電阻高于GΩ（9次方級）時，電流已處于μA級別，此時微小的電流變化將會對測試得到的電阻值造成明顯影響，故此時將絕緣電阻的次方級數(shù)作為主要評估參數(shù)。 

關于VDE

VDE全稱即德國電氣工程師協(xié)會（Verband Deutscher Elektrotechniker），VDE檢測認證研究所是其下的一個研究所。VDE標記是目前世界上最著名的安全標記之一，VDE標志在世界范圍內(nèi)對于電子產(chǎn)品來說都代表著保護和安全性。

作為歐洲最有測試經(jīng)驗的試驗認證和檢查機構之一，VDE同時也直接參與德國國家標準的制定。VDE研究所通過對電氣產(chǎn)品的整體、中立和自主測試，致力于其安全性、電磁兼容性和操作性能。此外，其也為制造商在其產(chǎn)品質(zhì)量上的投資提供支持服務。

日置的高阻計產(chǎn)品線

最大可測試電阻為2*1019Ω，測試電壓范圍0.1～1000V，最快6.4ms的高速測量。

最大可測試電阻為2*1019Ω，測試電壓范圍0.1～2000V，最快6.4ms的高速測量。

4通道微小電流測試專用設備，最小量程20pA（分辨率0.1fA），最快6.4ms的高速測量。

高阻計SM系列的各種配件

根據(jù)不同被測物需求，日置為高阻計研發(fā)了多種配件以及測試治具，常用有電磁絕緣功能的屏蔽箱SME-8350，液體測試用電極SME-8330、平板測試用電極SME-8310（常用于平面材料的測試表面/體積電阻率測量）等等。此外還有插片式電容測試用電極、表面阻抗測量用電極、表面電阻測試用電極。

*使用上述配件時，需要搭配接線盒Z5010轉(zhuǎn)接使用。